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PSMN9R0-30LL,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN9R0-30LL,115
Descripción: MOSFET N-CH 30V QFN3333
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.15V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1193pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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