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PMFPB6532UP,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMFPB6532UP,115
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DFN2020-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 380pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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