La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BUK7575-55,127

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BUK7575-55,127
Descripción: MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 75mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 61W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 500pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 19.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK7540-100A,127
NXP USA Inc.
$0
BUK7528-55,127
NXP USA Inc.
$0
PHB145NQ06T,118
NXP USA Inc.
$0
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.
$0
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
$0