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PHB11N06LT,118

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PHB11N06LT,118
Descripción: MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 130mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.2nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 330pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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