Image is for reference only , details as Specifications

2N7000,126

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2N7000,126
Descripción: MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Box (TB)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 830mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 40pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 300mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 77 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PMN50XP,165
NXP USA Inc.
$0
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
$0
PHX9NQ20T,127
NXP USA Inc.
$0
PHX23NQ10T,127
NXP USA Inc.
$0
PHX18NQ20T,127
NXP USA Inc.
$0