2N7000,126
Fabricantes: | NXP USA Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | 2N7000,126 |
Descripción: | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | NXP USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Box (TB) |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 830mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-92-3 |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 40pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 300mA (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 77 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1