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PMN50XP,165

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMN50XP,165
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) - Id 950mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 2.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.2W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1020pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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