La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
CSD86330Q3D
| Fabricantes: | NA |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | CSD86330Q3D |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | NA |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 6W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerLDFN |
| Número de pieza base | CSD86330 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-LSON (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 920pF @ 12.5V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A |
En stock 13994 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.88 | $1.84 | $1.81 |
Mínimo: 1
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