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CSD86330Q3D

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: CSD86330Q3D
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie NexFET™
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 6W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerLDFN
Número de pieza base CSD86330
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.6mOhm @ 14A, 8V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-LSON (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 920pF @ 12.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A

En stock 13994 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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