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EPC2106

Fabricantes: EPC
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: EPC2106
Descripción: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante EPC
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie eGaN®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 600µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
Paquete de dispositivos de proveedores Die
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 0.73nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 75pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.7A

En stock 10620 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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