Image is for reference only , details as Specifications

CSD19531KCS

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD19531KCS
Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.7mOhm @ 60A, 10V
Disipación de energía (máx.) 214W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3870pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 1862 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.03 $1.99 $1.95
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFB3206PBF
Infineon Technologies
$2.03
HUF75645S3ST
ON Semiconductor
$0
STU7NM60N
STMicroelectronics
$2.01
FDB2532
ON Semiconductor
$0
FDP80N06
ON Semiconductor
$2