La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDP80N06

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDP80N06
Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UniFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.) 176W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 74nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3190pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1926 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.00 $1.96 $1.92
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDPF33N25T
ON Semiconductor
$2
FDB8832
ON Semiconductor
$0
HUF75545S3ST
ON Semiconductor
$0
IRF9Z30PBF
Vishay / Siliconix
$1.96
STH140N8F7-2
STMicroelectronics
$0