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SPP18P06PHXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPP18P06PHXKSA1
Descripción: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 81.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 28nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 860pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 264 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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