La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPP039N04LGXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP039N04LGXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 45µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.9mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 94W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 78nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6100pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 326 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.18 $1.16 $1.13
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUZ11-NR4941
ON Semiconductor
$1.18
FQPF10N20C
ON Semiconductor
$1.18
FDP8880
ON Semiconductor
$1.17
VN0808L-G
Lanka Micro
$1.14
TN0702N3-G
Lanka Micro
$1.09