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SPD08P06PGBTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPD08P06PGBTMA1
Descripción: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 6.2V
Disipación de energía (máx.) 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 420pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.83A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6.2V

En stock 6810 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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