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IRL80HS120

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRL80HS120
Descripción: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 32mOhm @ 7.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 11.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-PQFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 540pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 4433 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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