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SPB08P06PGATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPB08P06PGATMA1
Descripción: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 420pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.41 $0.40 $0.39
Mínimo: 1

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