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IRLMS2002GTRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLMS2002GTRPBF
Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores Micro6™(SOT23-6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1310pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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