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PMFPB8040XP,115

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMFPB8040XP,115
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-HUSON-EP (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 550pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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