La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRFSL38N20DPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFSL38N20DPBF
Descripción: MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Rds On (Max) - Id, Vgs 54mOhm @ 26A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores TO-262
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 91nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2900pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 43A (Tc)

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.32 $2.27 $2.23
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.31
AUIRF1324S-7P
Infineon Technologies
$2.31
IPC30S2SN08NX2MA1
Infineon Technologies
$2.3
IXTA1R6N100D2
IXYS
$2.3
IXTP12N65X2M
IXYS
$2.29