La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IXTP12N65X2M

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTP12N65X2M
Descripción: MOSFET N-CH TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220 Isolated Tab
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 53 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.29 $2.24 $2.20
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXFP12N65X2M
IXYS
$2.29
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.29
IXTA170N075T2
IXYS
$2.29
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
$2.29
AUIRF2804S-7P
Infineon Technologies
$2.28