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IRF6619TR1PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRF6619TR1PBF
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) - Id	2.45V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.2mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	DIRECTFET™ MX
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	57nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	5040pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	30A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V