IRF6619TR1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRF6619TR1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | DirectFET™ Isometric MX |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.45V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | DIRECTFET™ MX |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 57nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 5040pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 30A (Ta), 150A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 7204 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.89 | $1.85 | $1.82 |
Mínimo: 1