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IRF6603

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6603
Descripción: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) +20V, -12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MT
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MT
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 72nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6590pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 27A (Ta), 92A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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