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IRF6602

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF6602
Descripción: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DirectFET™ Isometric MQ
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DIRECTFET™ MQ
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1420pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta), 48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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