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IPP60R600P7XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP60R600P7XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 80µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 363pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 479 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.47 $1.44 $1.41
Mínimo: 1

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