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IPP80R900P7XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP80R900P7XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 45W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 350pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 259 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.46 $1.43 $1.40
Mínimo: 1

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