Image is for reference only , details as Specifications

IPP600N25N3GXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP600N25N3GXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 90µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 136W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 29nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2350pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.68 $2.63 $2.57
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDMT80080DC
ON Semiconductor
$0
STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
$0
IRF1404LPBF
Infineon Technologies
$2.4
IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0
AOB2500L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0