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STH275N8F7-6AG

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STH275N8F7-6AG
Descripción: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Número de pieza base STH275
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.1mOhm @ 90A, 10V
Disipación de energía (máx.) 315W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores H2PAK-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 193nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 13600pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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