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IPP041N12N3GXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPP041N12N3GXKSA1
Descripción:	MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 270µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.1mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	211nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	120V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	13800pF @ 60V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V