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IPW60R099P6XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPW60R099P6XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V TO247-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1.21mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 278W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 70nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3330pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 37.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1058 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.46 $5.35 $5.24
Mínimo: 1

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