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IPN50R2K0CEATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPN50R2K0CEATMA1
Descripción: CONSUMER
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CE
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-223-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2Ohm @ 600mA, 13V
Disipación de energía (máx.) 5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 124pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 13V

En stock 506 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.40 $0.39 $0.38
Mínimo: 1

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