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IRF8113TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IRF8113TRPBF
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HEXFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	36nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2910pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	17.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V