Image is for reference only , details as Specifications

IPL60R299CPAUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPL60R299CPAUMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 440µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-VSON-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRF100S201
Infineon Technologies
$0
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies
$0
AUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
$0
IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
$0