Image is for reference only , details as Specifications

IPD65R190C7ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD65R190C7ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 290µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 72W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1150pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2475 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies
$2.8
IRFS7430TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPD320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
$0