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IPL60R199CPAUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPL60R199CPAUMA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 660µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 139W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-VSON-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 32nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1520pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2990 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.54 $3.47 $3.40
Mínimo: 1

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