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IAUT165N08S5N029ATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IAUT165N08S5N029ATMA2
Descripción: 80V 165A 2.9MOHM TOLL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 108µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 167W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-HSOF-8-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6370pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 165A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 1482 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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