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IPI70N10S312AKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPI70N10S312AKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 83µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11.6mOhm @ 70A, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 66nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4355pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 56 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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