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FDMS4D4N08C

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDMS4D4N08C
Descripción: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6), Power56
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4090pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 123A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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