Image is for reference only , details as Specifications

IPD60R600E6ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD60R600E6ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ E6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 200µA
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 63W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 440pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 66 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.56 $0.55 $0.54
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NVMFS5C645NLAFT1G
ON Semiconductor
$0.56
TSM60N900CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM70N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.56
TSM60N900CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.56
SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
$0.56