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NVMFS5C645NLAFT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NVMFS5C645NLAFT1G
Descripción: MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 22A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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