La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IPD30N06S4L23ATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD30N06S4L23ATMA2
Descripción: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 36W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3-11
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1560pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 3038 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.
$0
RS1E200GNTB
ROHM Semiconductor
$0
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
$0
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
$0