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CSD23202W10T

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD23202W10T
Descripción: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) -6V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DSBGA (1x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 512pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 19050 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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