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IPC302N08N3X1SA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IPC302N08N3X1SA1 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Bulk |
| Vgs (máx.) | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 270µA |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Sawn on foil |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1A (Tj) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 85 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.32 | $2.27 | $2.23 |
Mínimo: 1
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