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IPC042N03L3X1SA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPC042N03L3X1SA1
Descripción: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -
Rds On (Max) - Id, Vgs 50mOhm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores Sawn on foil
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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