IPC042N03L3X1SA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPC042N03L3X1SA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | Die |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | - |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 2A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | Sawn on foil |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1A (Tj) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 63 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.36 | $0.35 | $0.35 |
Mínimo: 1