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IPD5N25S3430ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPD5N25S3430ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 13µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO252-3-313
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 422pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.36 $0.35 $0.35
Mínimo: 1

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