Image is for reference only , details as Specifications

IPB160N04S4LH1ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB160N04S4LH1ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO263-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) +20V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 110µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 167W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-7-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 190nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 14950pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SPI07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$1.32
DMJ70H900HJ3
Diodes Incorporated
$1.32
2SK3004
Sanken
$1.31
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3