Image is for reference only , details as Specifications

SPI07N60C3XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPI07N60C3XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 350µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO262-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 790pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMJ70H900HJ3
Diodes Incorporated
$1.32
2SK3004
Sanken
$1.31
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3
IXTP8N65X2
IXYS
$1.3