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IPB120N10S405ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB120N10S405ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 120µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5mOhm @ 100A, 10V
Disipación de energía (máx.) 190W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263AB)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 91nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6540pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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