La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SQM100N04-2M7_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQM100N04-2M7_GE3
Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 157W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (D²Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 145nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7910pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.36 $1.33 $1.31
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB120N08S404ATMA1
Infineon Technologies
$1.36
IRFIZ44GPBF
Vishay / Siliconix
$1.36
IRFSL3206PBF
Infineon Technologies
$1.39
TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38