Image is for reference only , details as Specifications

IPA80R600P7XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPA80R600P7XKSA1
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 170µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 3.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 28W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 570pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.62 $1.59 $1.56
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP037N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
$1.59
VN1206L-G
Lanka Micro
$1.56
TK10A60E,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.54
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.52
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
$1.48