Image is for reference only , details as Specifications

IPP037N06L3GXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP037N06L3GXKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 93µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
Disipación de energía (máx.) 167W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 79nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 13000pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.59 $1.56 $1.53
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

VN1206L-G
Lanka Micro
$1.56
TK10A60E,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.54
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.52
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
$1.48
TK34A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.48